凈化工程的溫度和濕度主要根據工藝要求確定，但在滿足工藝要求的情況下，應考慮人的舒適度。隨著空氣潔凈度要求的升高，工藝對溫度和濕度的要求越來越嚴格。具體工藝對溫度的要求以后會列出，但作為一般原則，由于加工精度越來越精細，對溫度波動范圍的要求也越來越小。例如，在大規模集成電路生產的光刻曝光過程中，玻璃和硅片作為掩膜板材料的熱膨脹系數差異越來越小。

硅片直徑為100um，溫度上升1度，造成0.24um線性膨脹，因此要有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗后，會對產品造成污染，尤其是怕鈉的半導凈化工程，這種車間溫度不能超過25度，濕度過高造成的問題更多。當相對濕度高于55%時，冷卻水管壁會結露，如果發生在精密裝置或電路中，會造成各種事故。當相對濕度為50%時，容易生銹。另外，當濕度過高時，硅片表面粘附的灰塵會被空氣中的水分子化學吸附，難以去除。相對濕度越高，粘附越難去除，但當相對濕度低于30%時，由于靜電的作用，顆粒容易吸附在表面，大量半導體器件容易擊穿。硅片生產的佳濕度范圍為35-45%。

在凈化工程的基礎建設中，要利用好以上方法，從設計到施工，注重效率和產品質量，在高效的前提下進行優質的工程建設。